四探針測(cè)試儀（便攜式）

更新時(shí)間：2024-05-10

產(chǎn)品型號(hào)：GSZ-RTS-2

廠家性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問次數(shù)：545

簡(jiǎn)要描述：

GSZ-RTS-2測(cè)量范圍
電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；
方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
GSZ-RTS-2A測(cè)量范圍
電阻率：0.001～199.99Ω.cm；
方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；

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詳細(xì)介紹

四探針測(cè)試儀（便攜式）/四探針電阻率測(cè)試儀/四探針測(cè)定儀

型號(hào)：GSZ-RTS-2/GSZ-RTS-2A

GSZ-RTS-2/GSZ-RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專用于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
本儀器廣泛應(yīng)用于太陽能單晶（多晶）生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試，半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。


	帶把手四探針探頭

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型，區(qū)別：測(cè)量范圍不一樣。

GSZ-RTS-2測(cè)量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
GSZ-RTS-2A測(cè)量范圍	電阻率：0.001～199.99Ω.cm；方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；
GSZ-RTS-2恒流源	電流量程分為100μA、1mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
GSZ-RTS-2A恒流源	電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；精度：±0.1% ；顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 ( 按JJG508-87進(jìn)行)	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
外型尺寸	125mm(寬)145mm(高)245mm(深)
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對(duì)濕度：≤65%；無高頻干擾；無強(qiáng)光直射；

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